Total Ionizing Dose and Reliability Evaluation of the ST-DDR4 Spin-transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory (STT-MRAM)
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https://dataverse.jpl.nasa.gov/citation?persistentId=doi:10.48577/jpl.NLHZDX
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We present total ionizing dose (TID) evaluation of the Everspin Technologies 1Gb non-volatile ST-DDR4 spin-transfer torque MRAM, and its effects on the reliability of the magnetic tunnel junctions (MTJs).
我们开展了对Everspin Technologies公司1Gb非易失性ST-DDR4自旋转移力矩磁阻随机存取存储器（spin-transfer torque MRAM）的总电离剂量（total ionizing dose, TID）评估，并研究了其对磁隧道结（magnetic tunnel junctions, MTJs）可靠性的影响。
提供机构：
Root
创建时间：
2023-07-16
