Beta emission channeling patterns from 75Ge and 75Ga in diamond

Manuscript on "Structural formation yield of GeV centers from implanted Ge in diamond"

2-dimensional experimental beta emission channeling patterns from beta-decay of 75 Ge following 75Ga implanted in diamond as shown in Figures 2,3,4,8 of the mentioned manuscript

20x20 matrix of counts within position-sensitive detector, pixel size 1.3x1.3 mm2 at 60 cm distance from sample

For <211>, <100> and <111> patterns, major horizontal planes are (110), while for the <110> patterns horizontal plane is (100) and vertical (110)

Ti = implantation temperature, Ta = annealing temperature, room temperature RT=30°C 

Figure 2: 75Ge patterns from "higher fluence" sample (~2E13 cm-2 per implantation step):

(a) vat4579a.csv: Ti=RT <110>

(b) vat4577a.csv: Ti=RT <211>

(c) vat4576a.csv: Ti=RT <100>

(d) vat4578a.csv: Ti=RT <111>

Figure 3: 75Ge patterns from "higher fluence" sample (~2E13 cm-2 per implantation step):

(a) vat4600a.csv: Ti=RT Ta=900°C <110>

(b) vat4598a.csv: Ti=RT Ta=900°C <211>

(c) vat4597a.csv: Ti=RT Ta=900°C <100>

(d) vat4599a.csv: Ti=RT Ta=900°C <111>

Figure 4: 75Ge patterns from "lower fluence" sample (~2E12 cm-2 per implantation step):

(a) vat4679a.csv: Ti=900°C <110>

(b) vat4677a.csv: Ti=900°C <211>

(c) vat4676a.csv: Ti=900°C <100>

(d) vat4678a.csv: Ti=900°C <111>

Figure 8: 75Ga patterns (measured during implantation)

(a) vat4660a.csv: Ti=30°C <100> "lower fluence" sample

(b) vat4581a.csv: Ti=30°C <100> "higher fluence" sample

(c) vat4601a.csv: Ti=300°C <100> "higher fluence" sample

(d) vat4617a.csv: Ti=600°C <100> "higher fluence" sample

题为《金刚石中注入锗制备GeV中心的结构形成产率》的研究手稿

本数据集涵盖该手稿图2、3、4、8中展示的实验数据：即金刚石中注入75镓（75Ga）后，由其衰变产生的75锗（75Ge）的β衰变二维β发射沟道图样

该数据由位置灵敏探测器采集，为20×20的计数矩阵，在距样品60 cm的探测位置处，像素尺寸为1.3×1.3 mm²

对于<211>、<100>及<111>取向的沟道图样，其主水平面为(110)晶面；而<110>取向图样的水平面为(100)晶面，垂直面为(110)晶面

其中Ti代表注入温度，Ta代表退火温度，室温RT=30℃

图2：高注量样品（单次注入剂量约2×10¹³ cm⁻²）的75Ge图样：
(a) vat4579a.csv：Ti=室温，<110>取向
(b) vat4577a.csv：Ti=室温，<211>取向
(c) vat4576a.csv：Ti=室温，<100>取向
(d) vat4578a.csv：Ti=室温，<111>取向

图3：高注量样品（单次注入剂量约2×10¹³ cm⁻²）的75Ge图样：
(a) vat4600a.csv：Ti=室温，Ta=900℃，<110>取向
(b) vat4598a.csv：Ti=室温，Ta=900℃，<211>取向
(c) vat4597a.csv：Ti=室温，Ta=900℃，<100>取向
(d) vat4599a.csv：Ti=室温，Ta=900℃，<111>取向

图4：低注量样品（单次注入剂量约2×10¹² cm⁻²）的75Ge图样：
(a) vat4679a.csv：Ti=900℃，<110>取向
(b) vat4677a.csv：Ti=900℃，<211>取向
(c) vat4676a.csv：Ti=900℃，<100>取向
(d) vat4678a.csv：Ti=900℃，<111>取向

图8：注入过程中采集的75Ga图样：
(a) vat4660a.csv：Ti=30℃，<100>取向，低注量样品
(b) vat4581a.csv：Ti=30℃，<100>取向，高注量样品
(c) vat4601a.csv：Ti=300℃，<100>取向，高注量样品
(d) vat4617a.csv：Ti=600℃，<100>取向，高注量样品