高迁移率转角过渡金属硫族化合物摩尔超晶格的低温强关联电输运数据集

本数据集面向hBN封装的高质量转角MoS2/WSe2摩尔超晶格器件，提供其在低温强关联条件下的全套电输运原始测量数据及对应分析结果与图表，用于研究关联增强铁电性及其与半填充关联绝缘态的耦合行为。数据采集时间为2023年1月至2024年6月，包含：在不同栅压与外加位移场调控下的四端纵向电阻与霍尔电阻原始数据（txt）、正反向扫描下的电阻回滞与铁电响应映射数据、温度依赖的电阻与回滞曲线、由原始数据计算得到的相对电阻差（ΔR/Rfor）与铁电极化强度，以及器件结构示意图、光学显微照片与透射电镜图像等。电学测试在最低2.0 K的低温系统中完成，采用锁相放大测量方式（4.79 Hz，1.0 mV源漏偏置），并通过双栅结构独立调控载流子浓度与位移场。数据集按“论文/图片合集/支撑数据/数据说明”组织，能够支撑复现实验图表、对比不同扫描方向与参数条件下的铁电回滞、评估强关联相在电场与温度下的演化，并可为摩尔体系铁电与多铁器件的建模、方法学验证与交叉数据复用提供基础。