基于三层平面结构的双偏振非互易热辐射模拟数据集

围绕国家信息领域中高端光电子芯片与器件国产化等国家战略性需求，开展发射器的研究，降低发射器所需的磁场是非互易热光子学的关键挑战之一。目前很少有结构支持低磁场下的双偏振强非互易性。我们提出了一种由InAs/SiO2/Al三层平面结构组成的无光刻热发射器。仿真结果表明双偏振非互易度超过75%。通过对电场分布和耦合模式理论的研究，揭示了背后的物理机制。该策略可以应用于热辐射的实际光谱区域（~ 10µm）。这项工作在非互易太阳能电池和非互易辐射冷却领域具有潜力。