five

Distribution scheme of the elements in the Al–ZnO/ZnO/ITO device

收藏
doi.org2025-03-22 收录
下载链接:
http://doi.org/10.17632/7gtnwr2msv.1
下载链接
链接失效反馈
官方服务:
资源简介:
Figure 9: Distribution scheme of the elements in the Al–ZnO/ZnO/ITO device. The gray band represents the Al-rich region. The yellow band illustrates the thin-film region of ZnO. (a) Distribution without voltage application. (b), (c) First and second positive voltage sweeps. (d) First negative sweep after positive sweeps. The line in (d) represents the conductive path formed by the filament. The blue band represents the grounded lower ITO electrode.

图9:Al–ZnO/ZnO/ITO器件中元素分布方案。灰色带代表富含铝的区域。黄色带描绘了ZnO薄膜区域。(a)未施加电压时的分布。(b)、(c)第一次和第二次正向电压扫描。(d)正向扫描后的第一次负向扫描。图(d)中的线条代表由丝状体形成的导电路径。蓝色带代表接地下的ITO电极。
提供机构:
Mendeley Data
二维码
社区交流群
二维码
科研交流群
商业服务