氧化镓紫外探测器件静态光电响应特性数据集

本数据测试按照《国家重点研发计划大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究（项目编号：2022YFB3505500）日盲紫外光电探测器测试大纲》进行。测试环境：温度20℃、湿度45%RH；所用测试仪器均在校验有效期内，确保了项目测试数据的质量。在现场测试过程中，测试人员将待测器件置于探针台上，将源-漏电压设置为5 V，栅压变化范围设置为-10 V~+20 V，先在没有紫外光照射的暗态环境里，现场测试并记录了该晶体管的转移特性，以此作为器件暗电流Idark值；随后用255 nm波长、37.7 μW/cm2功率密度紫外光源照射该待测器件，测试并记录了该晶体管的转移特性，以此作为器件光电流Iphoto值。根据现场测试的Idark和Iphoto数据，项目组按照测试大纲批准的计算方法，计算出了所测器件的静态光电响应核心技术指标——响应度R及探测率D*，在-5V、0V及+5V栅压下，响应度R分别为2.1×10^5 A/W、4.5×105 A/W及5.7×105 A/W，探测率D*分别为3.6×1017 Jones、7.5×1015 Jones及4.7×1014 Jones。响应度及探测率随栅压的不同变化趋势为应用提供了多样化的工作模式选择。