用于高速红外探测器的sn催化超高空穴迁移率GaSb纳米线

在纳米线的生长过程中，所使用的金属催化剂会微量的掺杂到纳米线晶体中。受此启发，他们在表面活性剂辅助CVD方法中，采用金属Sn作为纳米线生长的催化剂和轻掺杂源，得到了超高空穴迁移率的GaSb纳米线（空穴迁移率超过1000 cm2 V-1 s-1）。利用接触印刷技术，将超高迁移率GaSb纳米线应用于纳米线阵列红外探测器件，在1550 nm红外光照下进行测试，超高迁移率GaSb纳米线阵列红外探测器件具有61 A·W-1的光响应以及195.1 μs/380.4 μs的上升/下降时间，光生电流超过4 μA，探测率为8 × 107 Jones，光电导增益为49。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于采用Sn催化方法制备的GaSb纳米线，其空穴迁移率超过1000 cm² V⁻¹ s⁻¹，展现出超高性能。这些纳米线被应用于红外探测器件，在1550 nm光照下测试显示高光响应和快速响应时间，适用于高速红外探测应用。数据集由山东大学创建，包含实验数据，格式为Pdf、tiff和csv，数据量为262MB。