亚10nm精度校准DBR腔模并制备微柱数据集

该实验测试数据在2019年7月至2020年6月完成，采集地点在中国科学院半导体研究所2号楼和3号楼。使用分子束外延设备制备样品，再用反射谱测试系统探测样品的反射谱，从中得到数据并校准下一片样品的DBR生长参数。高质量的微柱主要使用电子束光刻的微纳加工工艺，期间与中山大学进行了合作，部分工艺在中山大学完成。最终实现了亚10nm高精度DBR结构外延生长与微柱制备。（MBE型号：美国Veeco Gen930，EBL设备型号：Raith150-Turnkey，化合物ICP设备型号：Plasmalab System 100，反射谱采用白光照明、Princeton Instrument-SpectraPro HRS光谱仪测试）。