Optical properties of c-Plane InGaN/GaN single quantum wells as a function of total electric field strength
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Conduction and valence band profiles calculated using Nextnano3 for InGaN/GaN single quantum well structures with Si-doped InGaN underlayers and different GaN cap layer thicknesses.
Photoluminescence spectra obtained at 10 K for those quantum well structures.
利用 Nextnano3 软件计算 InGaN/GaN 单量子阱结构中，Si 掺杂的 InGaN 作为衬底，以及不同 GaN 封层厚度下的导电带和价带能级分布。在 10 K 温度下获取这些量子阱结构的发光光谱。
提供机构：
Mendeley Data
