6.SVRN_OS_DOI6_Transport Regime Transition in Non-Volatile Memory Interconnects Heuristic Lcrit Analysis for NAND Flash, MRAM, and PCRAM

Zenodo 제출 자료: SVRN-OS — 논문 VI 1. 제목 비휘발성 메모리 인터커넥트의 수송 체제 전환: NAND Flash, MRAM, PCRAM에 대한 휴리스틱 Lcrit 분석 (영문: Transport Regime Transition in Non-Volatile Memory Interconnects: Heuristic Lcrit Analysis for NAND Flash, MRAM, and PCRAM) 2. 메타데이터 필드 값 시리즈 DOI 10.5281/zenodo.18325543 참조 DOI (논문 0) 10.5281/zenodo.18688294 참고 DOI (논문 I) 10.5281/zenodo.18687866 참고 DOI (논문 II) 10.5281/zenodo.18689820 참고 DOI (논문 III) 10.5281/zenodo.18694749 참고 DOI (논문 IV) 10.5281/zenodo.18694809 참고 DOI (논문 V) 10.5281/zenodo.18695822 본 논문 DOI (논문 VI) 10.5281/zenodo.18697024 특허 KR 10-2026-0017941 SHA-256 e3cdc73267145572256fbf4a69dadbdb91809e267137d637910d59ac6981dd1f 3. 요약 본 논문은 SVRN-OS 시리즈의 일곱 번째 논문으로, 비휘발성 메모리 그룹을 구성하는 세 가지 소자 — 3D NAND Flash, STT-MRAM, PCRAM(GST 기반) — 에 대한 휴리스틱 Lcrit(임계 인터커넥트 길이) 분석을 제시합니다. 제III편(DOI No. 3, 10.5281/zenodo.18694749)에서 확립된 Landauer-Büttiker 전송계수 T = λ/(λ+L)을 적용하여 각 소자의 탄도성-확산 수송 전환 경계를 결정합니다. PhoLink/ChoTopo 판정 결과: 3D NAND Flash (W BEOL) — λ_W = 9.8 nm, L ≈ 750 μm (글로벌 WL/BL, 공학적 추정값). T ≈ 1.3×10⁻⁵. 시리즈 전체 최저 T값. → Deep PhoLink 3D NAND Flash (poly-Si 채널) — λ_eff ≈ 7 nm (이동도 기반 추정, Seto JAP 1975). T ≈ 9.3×10⁻⁶. → Deep PhoLink STT-MRAM (CoFeB, 로컬 BEOL) — λ_eff ≈ 2–5 nm, L ≈ 100 nm. T ≈ 0.029–0.048. MgO 장벽(~1 nm)은 터널링 메커니즘으로 Landauer T 적용 불가 — ChoTopo 별도 기준 적용. → ChoTopo (로컬) + PhoLink (글로벌) PCRAM (GST 결정상) — λ ≈ 3–5 nm (수송 해석 기반 추정, 직접 측정값 아님), L ≈ 50 nm. T ≈ 0.057–0.091. GST 비정질 상태는 호핑 전도 지배 — Landauer 프레임 외부. → ChoTopo (셀) + PhoLink (BEOL) [한계 명시] T = λ/(λ+L)은 1D Landauer-Büttiker 모델 기반 이론적 경계 지표이며 정밀 정량 수송 모델이 아닙니다. 모든 λ값은 벌크/박막 근사치이며 실제 나노 구조에서는 λ_eff < λ_bulk입니다. 글로벌 BEOL 길이(750 μm)는 IRDS 2024 스케일링 트렌드와 정합한 공학적 추정값으로 IRDS가 직접 명시한 수치가 아닙니다. 민감도 분석: L = 500 μm → T = 1.95×10⁻⁵, L = 1 mm → T = 9.8×10⁻⁶ — 결론 불변. 본 논문은 이론적 경계를 확정하는 단계이며, 실험 검증은 NEGF 시뮬레이션 및 Phase 0 PoC에서 진행 예정입니다. 4. 진실성 선언 본 문서는 SVRN-OS 비휘발성 메모리 그룹(DOI No. 6)의 Lcrit 분석 기준서이며, 제III편(DOI No. 3, 10.5281/zenodo.18694749)의 표준 알고리즘을 수정 없이 적용합니다. 2026년 2월 19일 기준으로 검증된 물성값 및 분석 결과에 한하여 유효합니다. 인증: MDK_v1 | 조민수 | KR_10-2026-0017941 5. 키워드 NAND Flash · MRAM · PCRAM · GST · Lcrit · 수송 체제 전환 · PhoLink · ChoTopo · BEOL 인터커넥트 · 탄도성 수송 · Landauer-Büttiker · W 배선 · 폴리실리콘 채널 · CoFeB · SVRN-OS 6. 관련 작품 (동일 시리즈) 논문 0: 병목 지능 이론 — 10.5281/zenodo.18688294 논문 I: 구리 인터커넥트의 양자 파산 — 10.5281/zenodo.18687866 논문 II: SVRN_K0 하드웨어 사양 — 10.5281/zenodo.18689820 논문 III: Lcrit 표준 알고리즘 — 10.5281/zenodo.18694749 논문 IV: 로직 그룹 Lcrit 분석 — 10.5281/zenodo.18694809 논문 V: 고대역 메모리 그룹 Lcrit 분석 — 10.5281/zenodo.18695822 논문 VI: 비휘발성 메모리 그룹 Lcrit 분석 (본 문서) — 10.5281/zenodo.18697024 시리즈 DOI: 10.5281/zenodo.18325543 인증: MDK_v1 | 조민수 | KR_10-2026-001794