高深宽比的超级结结构过程数据及测试数据

面向新一代高压SiC功率器件对高深宽比超级结制造工艺的迫切需求，项目旨在攻克深槽刻蚀、离子注入及外延填充等关键工艺技术瓶颈。数据集主要面向半导体器件工艺开发、材料生长质量控制及器件结构可靠性研究，基于二次离子质谱仪（SIMS）、傅里叶变换红外光谱仪（FTIR）、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）​ 等高端表征设备产生，系统记录了实现高深宽比超级结结构全链条的离子注入杂质纵向分布、外延层厚度/应力/均匀性（半高宽）、以及最终器件P/N柱结构的截面形貌与深宽比等关键工艺参数与质量观测值。数据集总容量约15MB，以结构化数据、高分辨图像及规范测试报告的形式整合，为优化高深宽比超级结制备工艺、评估材料与器件性能提供了坚实、完整的数据支撑。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

本数据集面向高深宽比超级结结构制造工艺，系统记录了深槽刻蚀、离子注入及外延填充等关键工艺参数与质量观测值，涵盖离子注入杂质纵向分布、外延层厚度/应力/均匀性及P/N柱截面形貌与深宽比等数据。数据通过SIMS、FTIR、SEM、AFM等表征设备获取，以结构化数据、高分辨图像及测试报告形式整合，总容量约15MB，为优化高深宽比超级结制备工艺提供了坚实支撑。