SnTe-PbTe线性磁电阻数据集

本项目使用分子束外延（MBE）的方法，在STO(111)基片上可控外延生长了高质量纳米级的PbTe/SnTe异质结，通过控制生长温度在SnTe中实现从立方到菱方的结构相变，并制备出不同结构的PbTe/SnTe异质结。有明锐界面的PbTe/SnTe异质结具有最大可达到2150%的不饱和巨线性磁电阻。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集记录了利用分子束外延技术在STO(111)基片上生长PbTe/SnTe异质结的过程，通过改变生长温度调控SnTe从立方到菱方的结构相变。实验发现，具有明锐界面的异质结展现出高达2150%的不饱和巨线性磁电阻效应，为拓扑晶体绝缘体磁电阻研究提供了关键数据。