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InGaN材料XRD表征数据集

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国家基础学科公共科学数据中心2024-03-05 收录
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https://www.nbsdc.cn/general/dataDetail?id=64edfcb4bb16e0300cd4e001&type=1
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资源简介:
XRD (X射线衍射)是目前研究晶体结构 最有力的方法。InGaN外延材料XRD数据能够反映出材料的晶体质量,缺陷密度及In元素组分,对于InGaN合金具有指导意义。XRD主要是通过X射线衍射仪测得,主要内容是衍射峰强度和衍射角度。

XRD (X-ray diffraction) is currently the most robust method for investigating crystal structures. The XRD data of InGaN epitaxial materials can reflect the crystal quality, defect density and In composition of the material, which is of guiding significance for InGaN alloys. XRD measurements are primarily performed using an X-ray diffractometer, with the core measured parameters being diffraction peak intensity and diffraction angle.
提供机构:
华南理工大学
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数据集介绍
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背景与挑战
背景概述
该数据集包含InGaN外延材料的X射线衍射(XRD)数据,主要用于研究材料的晶体结构、质量、缺陷密度和In元素组分。数据通过X射线衍射仪测得,以衍射峰强度和角度为核心内容,对InGaN合金的研发和分析具有重要指导意义。
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