高质量SiC同质厚膜外延片测试和模型方案数据

本数据集根据SiC标准测试规程及测试大纲在专业测试装置下对外延片特定指标进行测试获得的外延片数据。第三方外延片检测数据包括：外延层厚度、厚度均匀性、外延层浓度、浓度均匀性、外延层表面缺陷密度和基平面位错密度。3.3 kV和6.5 kV的外延片检测数据包括：外延片厚度、浓度、缺陷等原始测试数据。针对外延片制备和工艺流程对关键特性指标影响的模型数据包括：6500V失效MOSFET器件光显测试原始数据和分析报告、国内外衬底的缺陷测试原始数据、国内外衬底的位错测试原始数据和典型mapping图、厚膜外延片的表面缺陷、平坦度、应力等测试原始数据和分析研究报告、外延生长关键参数TCS流量、C/Si、小盘气浮成分等机台监控原始数据和外延片测试原始数据。