NbN SIS结的TFF器件研制工艺参数

面向高速超导电子器件研究，开展基于NbN SIS结的NbN TFF器件制备工艺和性能表征研究，研发了基于NbN SIS结的NbN RSFQ微加工工艺流程，并对制备工艺中的关键工艺进行了优化，通过多次迭代过程，确定了相关关键工艺的工艺参数，并对这些工艺参数所制备的材料特性和工艺效果进行了测试和表征，利用制备工艺完成了NbN TFF器件，通过其电学特性的测试结果验证基于NbN SIS结的NbN RSFQ制备工艺，数据集中主要记录了制备工艺流程中薄膜制备和器件平坦化等关键工艺步骤的相关工艺参数，及NbN TFF器件的电学性能测试结果。