可调谐量子点的GaAs量子光子芯片相关数据

自组装量子点(QDs)为实现光子量子技术提供了通用的非经典光源。最近，自组装量子点与各种光子结构的集成取得了成功，这突出表明它们非常适合于高效的片上单光子源(SPSs)。然而，由于随机增长过程，量子点遭受了巨大的不均匀拓宽，只有在实现单光子发射能量的精确调谐时，才能利用它们在实际集成量子光子电路中的潜力。本文介绍了一种压电-半导体混合集成方案来实现基于能量可调谐量子点的GaAs量子光子芯片(QPC)。混合芯片是在含有量子点的GaAs纳米膜上制作的，该纳米膜被转移到单晶压电驱动器上。确定性单光子发射从量子点产生，并沿高度受限的砷化镓波导。通过改变施加在压电驱动器上的电压，应变场可以动态和可逆地操纵基于qds的spr的光学特性。量子点的单光子发射能量可在10.4 meV的宽范围内调谐，调谐速率为6.4 pm·V−1。本文所展示的混合GaAs QPC与能量可调spr为复杂集成量子光子电路的开发提供了一条可行的途径，提高了可扩展性和功能性。