高性能SOT薄膜和SOT-MTJ器件耐久性研究
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-03-14 收录
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https://nbsdc.cn/general/dataDetail?id=69ac4ba9195d2650b5d8f526&type=1
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资源简介：
本数据集来源于国家重点研发计划“新型自旋轨道矩材料与高性能存内计算器件”项目（编号2021YFB3601300）的课题三，主要面向高可靠、长寿命自旋存储芯片在数据中心、车载电子等严苛环境下的应用需求。数据基于项目所集成制备的高性能自旋轨道矩磁性隧道结器件，在控温与电磁屏蔽的可靠性测试平台上，通过由任意波形发生器、源测量单元及自动化控制脚本构成的长时间循环测试系统产生。数据集系统记录了器件在极端电应力下的长期工作稳定性，主要包含了在特定写入条件下（如固定脉冲宽度与幅度），器件隧穿电阻随写入循环次数（从10^1次至超过10^12次）演化的完整曲线、高低阻态窗口的退化轨迹，以及用于判定器件最终失效（如电阻窗口闭合或短路/开路）的关键观测值。这些数据是直接验证“实现SOT-MTJ器件写入次数≥1×10^12”这一超高耐久性考核指标的原始实验证据，对于评估器件的使用寿命、失效机理以及预测其在复杂工作负载下的可靠性具有不可替代的工程价值。数据集以结构化循环测试日志（CSV）、阶段性电阻统计
提供机构：
北京航空航天大学
