新结构3D NAND的器件和阵列仿真及可靠性研究数据集

本数据集来源于国家重点研发计划项目“微纳电子技术”专项的课题“3DNAND闪存未来技术”。数据集主要聚焦于铁电层饱和极化、剩余极化、矫顽场、厚度、介电常数，绝缘层厚度与介电常数，多晶硅沟道厚度，存储单元直径，沟道长度，单元尺寸、沟道掺杂浓度、源漏掺杂浓度等工艺参数对FeNAND器件存储窗口的影响的仿真结果，包含仿真提取的编程和擦除后的器件转移特性曲线、擦除后阈值电压、编程后的阈值电压以及存储窗口。仿真主要基于TCAD器件仿真工具，使用SDE模块搭建器件模型，使用SDEVICE模块进行器件电学性能测试，获得FeNAND器件在编程和擦除后的转移特性曲线（Id-Vgcurve），进而计算出器件的存储窗口。该数据集可以支撑新结构3D FeNAND的工艺开发和应用。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集来源于国家重点研发计划项目'3DNAND闪存未来技术'，通过TCAD仿真工具研究了工艺参数对FeNAND器件存储窗口的影响，包含转移特性曲线和阈值电压等仿真结果。它旨在支撑新结构3D FeNAND的工艺开发和应用。