北京大学高性能1T1R阻变器件数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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https://nbsdc.cn/general/dataDetail?id=67040a4d195d26231604412a&type=1
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资源简介：
研究制备了1T1R结构的HfOx基RRAM阻变器件及器件单元。研究了1T1R阻变器件的阻变性能，通过引入MOSFET晶体管，通过晶体管的限流特性，有效控制RRAM阻变中导电通道的形成，以达到控制阻变功耗的目的。数据集包括1T1R结构示意图、工艺流程、结构表征和电学性能参数等。
提供机构：
北京大学
