北京大学高性能1T1R阻变器件数据集

研究制备了1T1R结构的HfOx基RRAM阻变器件及器件单元。研究了1T1R阻变器件的阻变性能，通过引入MOSFET晶体管，通过晶体管的限流特性，有效控制RRAM阻变中导电通道的形成，以达到控制阻变功耗的目的。数据集包括1T1R结构示意图、工艺流程、结构表征和电学性能参数等。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集记录了北京大学研制的HfOx基1T1R结构阻变存储器（RRAM）器件，通过引入MOSFET晶体管实现限流，有效控制导电通道形成以降低功耗。数据内容涵盖器件结构示意图、制备工艺流程、微观结构表征及电学性能参数，共包含5.32MB的2个文件。该数据集由刘力锋创建，属于微电子与电子元件技术领域，适用于阻变存储器的研究与应用。