新型低温MRAM器件电性测试数据
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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https://nbsdc.cn/general/dataDetail?id=674241fa195d262b8b446d39&type=1
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资源简介：
本数据集主要包括SOT隧道结TMR数据及写操作数据、STT隧道结RH测试数据、STT隧道结瞬态RV测试数据，研究分析SOT隧道结隧穿磁电阻效应值及写操作数据，有助于深入分析SOT-MRAM以及STT-MRAM隧道结器件性能，也为本课题新型低温MRAM器件研究提供了研究基础，数据量178MB。
提供机构：
中国科学院微电子研究所
