双层二维类金属半导体Sn2Bi的制备数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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https://nbsdc.cn/general/dataDetail?id=674241b8195d262b8b446c84&type=1
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资源简介：
利用分子束外延技术在半导体Si(111)衬底上制备出了一种二维类金属半导体Sn2Bi，并利用扫描隧道显微镜对其电子态结构进行了表征，并实现了单个Bi 空位缺陷上实现了多达五重电荷态的操控。
该数据集包括了利用扫描隧道显微镜对双层二维类金属半导体Sn2Bi的形貌及电子态进行表征的原始数据和分析文件。
提供机构：
中国科学院物理研究所
搜集汇总
数据集介绍
背景与挑战
背景概述
该数据集聚焦于利用分子束外延技术在Si(111)衬底上制备双层二维类金属半导体Sn2Bi，并通过扫描隧道显微镜表征其形貌和电子态结构，实现了单个Bi空位缺陷的多重电荷态操控。数据集包含相关的原始数据和分析文件，用于支持该材料的研究。
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