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化学合成的InSe霍尔效应数据集

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国家基础学科公共科学数据中心2024-03-05 收录
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https://www.nbsdc.cn/general/dataDetail?id=64ef8595bb16e0591d0259d2&type=1
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资源简介:
本项目发展了改进的化学气相传输法通过化学方法制备薄层InSe的新方法,可控合成了高质量厘米级的薄层的InSe薄膜,以及具有厚度可调的InSe纳米片。通过XRD、HAADF-STEM、SAED、AFM、荧光光谱、Raman-mapping表征合成的InSe样品,确定合成的InSe样品的具体结构,已经随厚度依赖的光学性质。通过霍尔测量,在二维InSe样品中观察到了量子霍尔效应,体现出样品的高的电学性质。
提供机构:
北京大学
搜集汇总
数据集介绍
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背景与挑战
背景概述
该数据集基于改进的化学气相传输法,成功制备了高质量厘米级薄层InSe薄膜和厚度可调的纳米片,并通过XRD、HAADF-STEM等多种表征手段验证了其结构和光学性质。此外,霍尔测量结果显示二维InSe样品中存在量子霍尔效应,证实了其优异的电学性能。
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