ОСОБЕННОСТИ ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ В ПЛОСКОСТИ СКОЛЬЖЕНИЯ ДИСЛОКАЦИИ В КРЕМНИИ

В докладе будет представлен небольшой исторический обзор проблем, связанных с образованием дефектов в результате скольжения дислокаций в полупроводниках так называемых дислокационных следов, природа и даже условия образования, которых до сих пор до конца не выяснены. Интерес к этим исследованиям вызван тем, что в последние годы для изготовления солнечных элементов широко используется поликристаллический кремний, где дислокации и связанные с ним дефекты являются основными причинами низкого КПД. Кроме того следы за дислокациями являются электрически активными дефектами и проявляют, как правило, заметную рекомбинационную активность