六方氮化硼中自旋缺陷能级的温度依赖性研究数据
收藏国家基础学科公共科学数据中心2024-03-05 收录
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资源简介：
主要面向量子信息技术应用中的量子传感，受到国家重点研发计划项目2017YFA0304102支持。使用532nm半导体激光器的激发光激发经过中子辐照后的六方氮化硼粉末样品，使用低温腔（搭配有升温-控温装置）与自己搭建的常温的升温-控温装置，使得样品的温度从5K变化到600K，同时将微波源发出的微波经放大器放大后由导线辐射到样品上，进行光学探测磁共振实验。我们发现了5-600K范围内六方氮化硼内的VB-缺陷的D随温度升高而降低，关系曲线符合Varshni经验方程。我们的结果为六方氮化硼作为微观温度传感器提供了实验基础。数据量：2.89MB。
提供机构：
中国科学技术大学
搜集汇总
数据集介绍
背景与挑战
背景概述
该数据集面向量子传感应用，研究了六方氮化硼中自旋缺陷能级在5-600K温度范围内的变化。通过光学探测磁共振实验，发现VB-缺陷的D值随温度升高而降低，且符合Varshni经验方程。结果为六方氮化硼作为微观温度传感器提供了实验依据。
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