正电子湮没参数密度泛函理论计算数据集
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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https://nbsdc.cn/general/dataDetail?id=683dea46195d261233189859&type=1
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资源简介：
本数据集围绕基于各自的近似方法和模型给出了正负电子的关联泛函，给出了最新的正负电子关联泛函，可得到了更为精确的计算结果。并利用此程序，对不同缺陷Ga2O3实现了理论精确计算的目标，证实了缺陷态对其Ga2O3半导体性能的影响。
提供机构：
中国科学技术大学
