Fe3GeTe2中拓扑磁畴斯格明子数据集

二维范德华（vdW）磁性材料最近被引入作为材料科学的新领域，它们可以被用于下一代自旋电子学器件。在本项目通过使用原位洛伦兹透射电子显微镜（TEM）报告了二维vdW Fe3GeTe2（FGT）单晶中稳定的布洛赫型磁性斯格明子的观测结果。我们发现，当温度低于居里温度TC时，外部磁场垂直于（001）薄片上施加，FGT中的基态条状畴会转化为斯格明子。最有趣的是，通过沿（001）方向施加磁场进行场冷却操作可以获得斯格明子的六边形格子。由于其拓扑稳定性，斯格明格子在大场冷倾斜角度下依然是稳定的，并利用微磁模拟进一步再现。这些观测结果直接表明，2D vdW FGT具有丰富多样的拓扑自旋结构，对自旋电子学领域的未来应用具有重要前景。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集通过原位洛伦兹透射电子显微镜观测了二维范德华磁性材料Fe3GeTe2中稳定的布洛赫型磁性斯格明子的形成与行为。研究发现，在特定温度和磁场条件下，材料中的条状畴可转化为斯格明子，并形成稳定的六边形格子，展现了其拓扑稳定性，对自旋电子学应用具有潜力。