tsmc28hvt单元库测试数据

该数据集基于TSMC 28nm hvt标准单元库仿真数据产生于对TSMC 28nm hvt标准单元库中部分同类标准单元的cadence virtuoso仿真，主要仿真了其在不同VDD电压条件下的延迟和功耗信息。通过标准单元库的重新特征化方法，有效筛选出近阈值工作电压下的具有最高能效的标准库单元，从而实现兼容硬核与软核、模拟与数字的最佳能比效电路。主要面向基础研究。