基于二维范德华异质结的存算一体器件研究

该数据集为基于二维范德华异质结的存算一体器件研究数据集，具体包括了三个小方向：1）单胞厚铁电CuCrS2纳米片的范德华外延生长，实现了高质量的二维铁电半导体单晶的制备，具有高于室温的居里温度，并且基于该材料搭建了垂直铁电节可作为铁电存储器件。2) 多种衬底上低温范德华(vdW)外延技术成功制备了二维锑化铟单晶纳米片，其厚度仅2.4 nm。二维InSb生长所需温度(240℃)与微电子行业硅基集成后端工艺相兼容。基于二维InSb构建的场效应晶体管(FET)器件表现出108以上开/关比，并呈现出超低关态电流(小于10-13A)。此外，二维InSb展现p型输运行为，并且室温下场效应空穴迁移率达到203 cm2v-1s-1。3) 原子级锐叠二元-三元磁异质结中增强发现了显著二次谐波增强的信号。磁性测量显示其居里温度高于室温，最高可以达到360 K，并且在这种异质结中的发现了随厚度和温度变化的磁特性。该数据集记录了基于二维范德华异质结的存算一体器件研究中材料的形貌结构、各项物理性能表征以及相应器件设计和电学测试等数据。