衬底、生长参数和退火处理对低维极性铁电半导体薄膜结构、磁学和电学性能的影响

对于发展高密度存储器件最大的挑战是如何减小临界翻转电流Jc，而Jc与吉尔伯特阻尼因子（Gilbert damping constant）α成正比。选取多个周期的Pt/Co多层膜作为FM材料，MnIr作为AFM材料来研究FM和AFM层厚度对交换偏置场HE和矫顽场Hc的影响，并利用TR-MOKE技术探究不同Pt和Co层厚度下的超快自旋动力学过程，分析饱和阻尼因子α_0的变化。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集研究衬底、生长参数和退火处理对低维极性铁电半导体薄膜结构、磁学和电学性能的影响。具体通过Pt/Co多层膜和MnIr材料，分析FM和AFM层厚度对交换偏置场和矫顽场的作用，并利用TR-MOKE技术探究超快自旋动力学过程及吉尔伯特阻尼因子的变化。