半导体二维原子晶体的物性

本课题拟开展以新型过渡金属硫族化合物、硼烯、碲烯、砷烯为代表的半导体二维原子晶体材料的基本物性。数据主要来源于中国科学院物理研究所。利用电子束曝光（ebL）等微加工手段，制备半导体二维原子晶体介观、纳米结构，通过限域效应等调控其电子性质和电输运行为，以实现特定功能。用原子层沉积（ALD），辅以其它技术探索在半导体二维原子晶体表面制备高质量、超薄介电薄膜，利用缓冲层等手段保护其性质不受介电薄膜的影响。利用综合物性系统（PPMS）测量用这些材料制备的纳米结构在低温、极低温、强磁场、超快光下的量子输运性质，研究其中的电荷、谷极化、自旋输运性质、其它准粒子的输运行为，寻找新奇的量子效应，结合理论计算理解其结构与层间电子相互作用、自旋/能谷化结构、带隙、载流子迁移率等之间的关联，进一步实现物性调控。另外采用第一性原理计算与实验相结合，计算二维原子晶体材料的电子结构特性。本数据集主要包含原始数据，分析数据以及成果三个子集，数据量422 GB。