大面积黑磷二维薄膜生长和器件

大面积二维黑磷生长、物性及器件数据。数据类型为文件，数据量共82.8MB，共享方式为完全共享。生长和器件表征数据与MoS2相仿，另，系统研究了其合金化制备、发光性质以及低温输运性质。来源于对生长获得的黑磷的形貌、结构、组分、物性和器件的表征。形貌通过SEM、AFM、STM等设备采集；结构通过TEM高分辨相、X射线衍射收集；物性主要包括光学性质和电学性质，通过发光光谱、拉曼光谱等采集。电学性质通过电子束曝光制备电极图案、反应离子刻蚀处理MoS2获得清洁表面和规则形状、原子层沉积介电层、热蒸发镀膜制备电极，最终获得晶体管器件；低温输运性质通过综合物性测试平台PPMS测试所得，低温达到液氦温度，磁场强度达到9T；电学源表包括Keysight1500A、Keithley4200、Keithley2400等。国家纳米科学中心、北京大学；数据采集时间：2019.9.1-2024.8.31。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集涵盖大面积二维黑磷薄膜的生长、物性及器件表征数据，数据总量为82.8MB，采用完全共享方式。研究内容涵盖合金化制备、发光特性及低温输运性质，形貌、结构与组分通过SEM、AFM、TEM、XRD等手段表征，器件制备涉及电子束曝光、原子层沉积等工艺，低温电学测试利用PPMS平台在液氦温度及9T磁场下完成。数据由国家纳米科学中心和北京大学于2019年9月至2024年8月期间采集。