CMOS和超陡摆幅新器件电性参数测试数据
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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https://nbsdc.cn/general/dataDetail?id=67424275195d262b8b446eca&type=1
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资源简介：
该数据集为开发TFET-CMOS平台试验晶圆收集WAT测试的数据图表，数据来源为中芯北方集成电路制造（北京）有限公司生产线，包括了各片晶圆的工艺试验条件（split table）以及完成全流程后的MOSFET及超陡摆幅新器件（TFET）的WAT测试数据，数据生成地点为中芯北方P2 WAT部门，采集时间为2023-02至2023-06，数据量约为80MB，包含了文件、表格及图片。
提供机构：
北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
