量子纠缠保真度

为提高硅基量子比特通过谐振腔纠缠的保真度，需要进一步提高谐振腔特征阻抗，在提升比特-光子间耦合强度的同时，抑制比特电荷噪声。项目制备了~3.6 kΩ、Q值为~28000的铌钛氮高阻抗谐振腔，利用国际主流的比特退相干参数[Nature 555, 599 (2018)]，在相同的自旋-电荷杂化情况下，运用我们的谐振腔可将比特-光子的有效耦合强度可以从1.6 MHz提升到6.4 MHz，实际比特退相干速率可从0.4 MHz降为0.15 MHz，理论模拟表明两比特纠缠保真度能达到91%。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于提高硅基量子比特通过谐振腔纠缠的保真度，通过制备高阻抗铌钛氮谐振腔来优化耦合强度并抑制电荷噪声。理论模拟显示，采用此方法可实现91%的两比特纠缠保真度。