硅衬底外延片表面缺陷和颗粒控制研发数据集

Si衬底GaN基LED外延片波长均匀性研究主要针对中微公司开发的Micro-LED用新型MOCVD设备在晶湛公司开展Micro-LED外延工艺开发，研究新款设备在硅基蓝绿光Micro-LED外延生产过程中表面缺陷的形成原因，进行表面缺陷改善工艺的数据追踪和整理，获取了较好的实验结果。该数据集主要采集了相关颗粒缺陷的测试记录、缺陷颗粒的测试图表，相关测试报告等数据，数据量约为3.2MB。