Band Filling and Cross Quantum Capacitance in Ion-Gated Semiconducting Transition Metal Dichalcogenide Monolayers
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资源简介：
Data set for: Nano Lett. 2019, 19, 12, 8836-8845
https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.9b03667
提供机构：
Université de Genève, Yareta
创建时间：
2020-06-17
