p通道高空穴迁移率的场效应晶体管

利用在GaSb纳米线表面蒸镀不同功函数的金属颗粒构筑出金属-半导体结，调控了载流子浓度，提升其高空穴迁移率至3372 cm2V-1s-1。这是目前文献报道的在大气室温环境下p沟道场效应晶体管中空穴迁移率的最高值。除调控了空穴迁移率之外，场效应管的其他性能参数也得到了优化。当沉积较低功函数金属Al时，p型场效应晶体管的阈值电压实现了从6.8 V至1.5 V的有效负移。随着Al厚度的增加，阈值电压负移的更明显，说明场效应晶体管的栅极调控变得更加容易，这同样得益于纳米线中空穴浓度的减少。这种利用金属-半导体结调控p型半导体场效应迁移率的方法具有普适性，在其他p沟道器件中得到了验证，例如p型GaAs纳米线，GaAs薄膜和二维WSe2场效应晶体管。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于p型场效应晶体管，通过金属-半导体结调控载流子浓度，实现了高达3372 cm²V⁻¹s⁻¹的空穴迁移率，这是目前大气室温环境下的最高记录。同时，该方法优化了阈值电压等性能，并验证了其在不同p沟道器件中的普适性。