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Interplay of carrier density and mobility in Al-rich (Al, Ga)N-channel HEMTs: Impact on high-power device performance potential
Interplay of carrier density and mobility in Al-rich (Al, Ga)N-channel HEMTs: Impact on high-power device performance potential
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Zenodo
2025-05-12 更新
2026-04-07 收录
高电子迁移率晶体管设计
功率半导体器件模拟
数据链接:
https://zenodo.org/doi/10.5281/zenodo.15388882
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资源简介:
Nextnano++ simulation raw data files.
应用场景:
提供机构:
Tyndall National Institute; Philipps University of Marburg
创建时间:
2025-05-12
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