静电外延生长单一取向微米线阵列数据集

单晶结构的定向生长在半导体工业中是至关重要的，它可以通过外延法生产薄膜、异质结构、量子阱和超晶格来实现。除了硅和III-V族半导体，可溶液处理的半导体，如金属卤化物过氧化物，正在为可扩展和具有成本效益的光电设备制造而出现，而制造的结构的多晶性质限制了它们在集成设备方面的应用。本数据集中，静电外延，一个由自组装的表面活性剂（辛酸盐阴离子）和Pb2+之间的强静电相互作用维持的过程，被开发出来以实现单晶CsPbBr3微米线的定向生长。位于气液界面的强静电相互作用不仅支持单晶的优先成核，而且还选择具有最高Pb2+面积密度的晶体面进行纯晶取向。由于气液界面的外延，实现了在不同的基底上直接生长取向的单晶微米线，而没有升空和转移的过程。本数据集是2020-2022年在中国科学院理化技术研究所仿生材料与界面科学院重点实验室完成的，主要包括静电外延生长示意图、阵列及薄膜扫描电镜照片、微米结构透射电镜高分辨照片与选区电子衍射图样、X射线衍射、光电子能谱、傅立叶转换红外光谱、核磁碳谱、扩展X射线吸收精细结构谱、生长过程显微照片等数据，数据量14.70MB。