金刚石膜刻蚀方法、图形化金刚石膜及其应用

本申请公开了一种金刚石膜刻蚀方法、图形化金刚石膜及其应用，所述方法包括：将基片置于腔体内，所述基片包括硅片和金刚石膜，所述硅片的一面设有由沟槽形成的图形，所述金刚石膜覆盖在所述硅片的沟槽所在的表面上且填充满所述沟槽；在所述腔体内形成等离子体对所述基片进行刻蚀，得到图形化金刚石膜，其中，所述刻蚀的具体条件包括：H2和O2作为气源，且O2的流量为H2流量的1~6%；微波作为能量源，且微波功率为3~8KW；刻蚀温度为600～700℃。该方法无需设置掩体，刻蚀完成后直接形成图形化金刚石膜，无需再去除掩体，操作简单、效率高。