宽波段探测器制备工艺数据集

为了解决二维 VI 族铋化物异质结宽光谱探测器漏电机理分析及抑制技术相关的关键科学问题，探索暗电流降低机制及工艺实现途径，以及二维Bi2Se3 MSM型探测器在可见光波段探测率低、开关比小的关键技术问题，采用Raman 光谱、AFM、高倍光学显微镜测量等测量方法对二维材料制备工艺进行评价，根据器件IV/It测试数据对探测器性能进行评估。本数据集包含了工艺数值的测量结果以及器件制备测试结果数据。最终测试结果数据表明本工艺方法制备的器件性能满足项目指标要求。