MEMS多力学量传感器晶圆级集成制备设计、TSV工艺、整体制备工艺及参数优化

研究分析集成封装工艺过程中 TSV 的寄生效应及热机械应力影响，获得封装工艺参数MEMS 多力学量传感器性能的关系模型;并结合实际工艺效果，考虑成本、可靠性良品率等内容,进一步优化整体工艺实施方案,设计 MEMS 晶圆级封装共晶键合艺流程并完成工艺的制作。内容包括优化设计仿真数据、各类工艺数据、工艺研究过程各类实验数据、第三方测试报告、年度科技报告及指标对应的论文和专利。