GaN功率开关器件驱动与系统集成数据库

“GaN功率开关器件驱动与系统集成数据库”主要研究高效高速GaN功率开关器件驱动与系统集成技术。包括充放电分离与有源钳位技术，突破 GaN 器件阈值及栅极击穿电压低、反向导通电压高的应用瓶颈，防止器件发生损坏和误开启等，提高驱动可靠性；设计快速、低功耗电平位移电路架构，减小驱动信号延时，保证器件高速、高效、稳定工作；研究自适应死区控制策略，进一步提升系统转换效率；研究驱动芯片与功率器件混合封装集成技术，减小互联寄生电感，提高驱动电路的抗干扰性。通过对增强型GaN功率开关器件特殊物理特性的研究，实现了高速、高精度、高可靠性栅驱动及系统集成，其中包括分离充放电路径，高速电平位移电路，延时匹配，自适应死区调整和SIP封装等创新型技术。数据文件包括有课题三实施过程中的科研活动细节及基础数据、形成的科技报告、申请的发明专利、发表的学术论文、第三方具有资质的测试机构检测产生的测试报告等。