金属等离激元与半导体激子强耦合量子理论

等离激元的衰变产生大量热电子，这些热电子在金属-半导体界面的电荷转移和空间分离对光能利用和转换, 光电器件，和光诱导的许多表面物理和化学过程有着重要的意义。我们基于全量子的含时密度泛函理论(TDDFT)方法, 选择Ag/TiO2(110)模型体系，用超快激光激发Ag20纳米颗粒的等离激元，跟踪激发态热电子和空穴的时间演化，发现界面的电荷转移有两个基本过程。主要数据项为等离子体诱导AgTiO2(110)界面电子−空穴分离。数据量为4MB（6个文件）。

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背景与挑战

背景概述

该数据集基于全量子的含时密度泛函理论方法，研究金属等离激元与半导体激子之间的强耦合现象。它采用Ag/TiO2(110)模型体系，通过超快激光激发Ag20纳米颗粒的等离激元，跟踪热电子和空穴的时间演化，揭示了界面电荷转移的两个基本过程，对光能利用和光电器件具有重要意义，主要数据项为等离子体诱导的界面电子-空穴分离。