Data for: Hydrogen dissociation and diffusion near the Si < 111 > /a-SiO2 interface: understanding degradation in MOSFETs

Initial xyz data of Si/SiO2 interface with hydrogen passivated dangling bonds.

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集提供了用于研究MOSFET退化机制中Si(111)/a-SiO2界面附近氢解离和扩散的初始xyz坐标数据，具体为包含氢钝化悬挂键的Si/SiO2界面结构。