微电子所双层1S1R数据
收藏国家基础学科公共科学数据中心2026-01-30 收录
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基于1S1R单元的3D交叉阵列构架是RRAM、PCRAM等两端电阻型存储器实现超高密度集成的必由之路，基于电子型的选通器件制备了双层的Ta/TaO/Ru/Cu/HfO/Pt 1S1R的1K的集成阵列结构，本数据集记述了其工艺流程、阵列以及双层结构的TEM图像和元素表征等。
提供机构：
中国科学院微电子研究所
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科研交流群
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基于1S1R单元的3D交叉阵列构架是RRAM、PCRAM等两端电阻型存储器实现超高密度集成的必由之路，基于电子型的选通器件制备了双层的Ta/TaO/Ru/Cu/HfO/Pt 1S1R的1K的集成阵列结构，本数据集记述了其工艺流程、阵列以及双层结构的TEM图像和元素表征等。