SigmaFET_TCDS

SigmaFET — Transistor de Coherencia (ΣFET) Autor: Genaro Carrasco Ozuna Afiliación: Proyecto TCDS / MSL, México El ΣFET (Sigma Field-Effect Transistor) es un dispositivo semiconductor derivado del formalismo Σ–χ de la Teoría Cromodinámica Sincrónica (TCDS). Su principio operativo se basa en el control activo de coherencia: una señal de puerta modula el campo Σ del sustrato, forzando un estado de sincronización robusta que reduce el ruido de fase y estabiliza la frecuencia. A diferencia de los transistores convencionales, el ΣFET no solo amplifica una señal, sino que la “purifica” en coherencia, generando experimentalmente Lenguas de Arnold como firma inequívoca de locking controlado. Este fenómeno constituye una prueba directa de los postulados de la TCDS y habilita nuevas líneas tecnológicas en electrónica de ultra-estabilidad, óptica coherente y biología sincrónica. --- Contenido 1_Documentos/ Textos teóricos fundamentales: TCDS ΑΩ — SigmaFET.pdf (formalismo Lagrangiano y protocolo de validación) Tcds_250916_124942.pdf (sincronón y campo Σ) Conciencia (8).pdf (análogo biológico CSL-H) La Realidad (2).pdf y Velocidad de la Luz (CGA).pdf (ontología y base causal). 2_Simulacion/ Archivos técnicos reproducibles: SigmaFET_Simulation.cir — netlist SPICE / Qucs-S SigmaFET_Control.py — simulación dinámica de coherencia Σ(t) SigmaFET_EOM_Notebook.ipynb — ecuaciones de movimiento Σ–χ SigmaFET_Dataset.csv — datos de locking y Δf 3_Graficos/ Diagramas y visualizaciones: arquitectura ΣFET, potencial , Lenguas de Arnold, perfil de evolución Σ(x,t). 4_Metadatos_Licencias/ metadata.json, README.md, licencias CC-BY-4.0, Apache-2.0 y TCDS Commercial 1.0. 5_Documentacion/ Guías metodológicas, matriz de riesgos y protocolo de replicación. --- Propósito Proveer un marco falsable, reproducible y escalable para la demostración experimental del control de coherencia en dispositivos electrónicos. El ΣFET constituye la primera implementación física del campo Σ, y su validación conecta la teoría TCDS con observables medibles (Δf, R(t), LI, κΣ). Métricas clave (KPIs ΣFET) LI ≥ 0.9 R > 0.95 RMSE_SL < 0.1 Reproducibilidad ≥ 95 % --- Cita sugerida Carrasco Ozuna, G. (2025). SigmaFET — Transistor de Coherencia basado en la Teoría Cromodinámica Sincrónica (TCDS). Proyecto TCDS / MSL, México. DOI: (10.5281/zenodo.17458693)