亚10nm节点的晶体管设计方案数据集

亚10nm节点晶体管的理论数值模拟主要使用商业软件Matlab。数据内容采用1D应变模型（Txx和Tyy可以忽略），并假设PE层产生的应变均匀分布在fin区域；3D FinFET结构简化为准2D FinFET结构，并假设在y轴（也就是高度方向）满足周期性条件；采用非平衡Green函数（NEGF）方法来自洽求解2D泊松方程；采用6带k.p应变哈密顿量来准确考虑价带及其各向异性；电-声子散射项也被考虑；选择不同晶向作为器件输运方向进行模拟。经过反复计算，得到亚10nm节点器件制备方案的设计指标工作电压Vdd为0.5V；开启电流Ion为1527.6uA/um（Si基）或1147uA/um（Ge基）；开关比为6.79e4（Si基）或2.03e5（Ge基）。数值模拟主要在中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室进行，时间跨度：2018年5月-2019年11月。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于亚10nm节点晶体管的设计方案，通过数值模拟方法（如非平衡Green函数和应变模型）计算得出关键性能指标，包括工作电压、开启电流和开关比。数据由中国科学院半导体研究所于2018年至2019年间生成，用于支持半导体器件的理论研究与优化。