InAs纳米片基自旋器件输运研究数据集

本数集中，我们进行了系统的测量和分析，以揭示在以Co为磁电极的InAs纳米片基两端器件中Hanle和反弱局域化效应共存的证据。首先，我们用两端法测试了InAs纳米片器件在不同温度（3 K 至 50 K）下的磁电阻效应，在磁场高于3 T后观察到了显著的SdH振荡，其随着温度上升逐渐减弱，100 K时已几乎观察不到。进一步，根据SdH振荡信号，我们对其作了快速傅里叶变换（FFT）分析，在FFT信号中观察到了此前文献报道的自旋分裂子所导致的两个相邻峰，这表明InAs纳米片中可能存在较大的Rashba SOI。经过细致的数据分析，我们确定该器件中Rashba常数为α_R~0.32 eVÅ，对应的零场自旋分裂大小为 Δ_R≈12.7 meV，相比于此前的报道，这是一个比较大的值。接下来，我们对器件低磁场下的磁输运性质进行了更为系统的测量分析，最终我们确认在具有铁磁电极的两端器件中观察到了Hanle效应和沿WAL效应共存的现象，Hanle效应源于两个电极界面的自旋积累在磁场下产生的自旋进动，而WAL效应源于InAs纳米片沟道中传导的电子所经历的相干散射。

搜集汇总

背景与挑战

背景概述

该数据集聚焦于InAs纳米片基自旋器件的输运研究，通过系统测量揭示了在Co磁电极两端器件中Hanle效应与反弱局域化效应共存的现象。研究分析了温度依赖的磁电阻效应和SdH振荡，并推导出Rashba自旋轨道相互作用参数，如Rashba常数约为0.32 eVÅ。数据来源于实验测试，包含多个文件格式，用于支持半导体物理和低维物理领域的相关研究。