ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ НА АНИЗОТРОПИЮ И ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ

Создание элементной базы современной оптоэлектроники требует разработки технологий, использование которых позволит обеспечить работу приборов в максимально широком спектральном диапазоне. При этом необходимо научиться управлять структурой и свойствами используемых материалов для повышения надежности, механической, радиационной и термической стойкости. Твердые растворы полупроводников (ТРП) находят широкое применение в оптоэлектронике в качестве активных элементов лазерных электроннолучевых трубок, материалов для перестраиваемых по частоте лазеров, свето и фотодиодов, мишеней вариконов, волноводов, что обусловлено возможностью в широких пределах изменять их физические свойства параметры кристаллической решётки, ширину запрещенной зоны, эффективные массы носителей, величину расщепления зон с концентрацией компонентов твердого раствора.